微測輻射熱計是利用物體體電阻對溫度的敏感性制成的。為了盡可能的增加器件的熱絕緣性，減小熱導以提高器件的靈敏度，現(xiàn)在大多采用MEMS技術實現(xiàn)懸浮微橋結構來解決這一問題。圖4是一種采用微橋結構的微測輻射熱計的結構示意圖。它采用兩臂支撐的微橋實現(xiàn)熱絕緣，Si，N，作為支撐薄膜，微橋下方的硅襯底被掏空，微橋橋面上制作多晶鍺硅Poly-Si07Ge03，薄膜電阻作熱敏探測源，為提高對紅外的吸收，表面有Sio／SiN復合膜作紅外吸收層。
和微機械熱釋電探測器相比較而言，在性能和低成本等方面，微測輻射熱計占有優(yōu)勢，走單片式橋狀熱絕緣探測器結構的途徑，測輻射熱計也比熱釋電探測器早走了十多年。目前微測輻射熱計陣列大小已達640X 480，像素尺寸可以做到25um×25um，性能已達到非制冷光子探測器的水平。
DeNIzSabuncuoglutezcan等人最新報道用一種完全與IC技術兼容的MEMS~藝做出了一種新的微測輻射熱計。它利用硅的各向異性腐蝕把CMOS結構的n阱掏空而形成懸吊結構（利用TMAH溶液的電化學腐蝕停技術），如圖5所示。用這種方法做成的微測輻射熱計， 當象素單元為74LLmX 74~tm時，直流響應率達到9250V／W，探測率可達2 X 109cmHzla／W，而且由于這種方法在完成CMOS結構后不再需要任何光刻或者紅外敏感材料的沉積，使得探測器的成本就大大降低，幾乎可以做到與CMOS芯片的成本等價，因此這種方法具有非常大的發(fā)展前途。
相比較以上三類探測器，熱電堆探測器的性能處于劣勢，研究也相對較少，而對測輻射熱探測器和熱釋電探測器而言，在性能和低成本方面相對較好。但正是由于MEMS技術和IC工藝的應用，才使得探測器整體性能不斷提高、成本不斷降低。
3．4其它非制冷紅外探測器
由于MEMS技術的獨特優(yōu)勢，使得探測器陣列元件集成度更高，性能更好，有越來越多的研究團體利用MEMS技術研制出了其它種類的非制冷紅外探測器。圖6就是一種利用真空勢壘中存在的電子隧穿效應而制成的微機械電子隧道紅外探測器這種探測器采用三層硅結構：第一層硅結構制作隧道硅尖電極和靜電偏轉電極；第二層硅結構制作彈性敏感薄膜和一半氣腔：第三層硅結構制作紅外透射膜和另一半氣腔。這種探測器的靈敏度比較高，電子隧穿位移傳感器部分的分辨率可達10-4nm／Hzl／2。
