微測(cè)輻射熱計(jì)是利用物體體電阻對(duì)溫度的敏感性制成的。為了盡可能的增加器件的熱絕緣性，減小熱導(dǎo)以提高器件的靈敏度，現(xiàn)在大多采用MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)懸浮微橋結(jié)構(gòu)來(lái)解決這一問(wèn)題。圖4是一種采用微橋結(jié)構(gòu)的微測(cè)輻射熱計(jì)的結(jié)構(gòu)示意圖。它采用兩臂支撐的微橋?qū)崿F(xiàn)熱絕緣，Si，N，作為支撐薄膜，微橋下方的硅襯底被掏空，微橋橋面上制作多晶鍺硅Poly-Si07Ge03，薄膜電阻作熱敏探測(cè)源，為提高對(duì)紅外的吸收，表面有Sio／SiN復(fù)合膜作紅外吸收層。

和微機(jī)械熱釋電探測(cè)器相比較而言，在性能和低成本等方面，微測(cè)輻射熱計(jì)占有優(yōu)勢(shì)，走單片式橋狀熱絕緣探測(cè)器結(jié)構(gòu)的途徑，測(cè)輻射熱計(jì)也比熱釋電探測(cè)器早走了十多年。目前微測(cè)輻射熱計(jì)陣列大小已達(dá)640X 480，像素尺寸可以做到25um×25um，性能已達(dá)到非制冷光子探測(cè)器的水平。

DeNIzSabuncuoglutezcan等人最新報(bào)道用一種完全與IC技術(shù)兼容的MEMS~藝做出了一種新的微測(cè)輻射熱計(jì)。它利用硅的各向異性腐蝕把CMOS結(jié)構(gòu)的n阱掏空而形成懸吊結(jié)構(gòu)（利用TMAH溶液的電化學(xué)腐蝕停技術(shù)），如圖5所示。用這種方法做成的微測(cè)輻射熱計(jì)， 當(dāng)象素單元為74LLmX 74~tm時(shí)，直流響應(yīng)率達(dá)到9250V／W，探測(cè)率可達(dá)2 X 109cmHzla／W，而且由于這種方法在完成CMOS結(jié)構(gòu)后不再需要任何光刻或者紅外敏感材料的沉積，使得探測(cè)器的成本就大大降低，幾乎可以做到與CMOS芯片的成本等價(jià)，因此這種方法具有非常大的發(fā)展前途。

相比較以上三類(lèi)探測(cè)器，熱電堆探測(cè)器的性能處于劣勢(shì)，研究也相對(duì)較少，而對(duì)測(cè)輻射熱探測(cè)器和熱釋電探測(cè)器而言，在性能和低成本方面相對(duì)較好。但正是由于MEMS技術(shù)和IC工藝的應(yīng)用，才使得探測(cè)器整體性能不斷提高、成本不斷降低。

3．4其它非制冷紅外探測(cè)器

由于MEMS技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，使得探測(cè)器陣列元件集成度更高，性能更好，有越來(lái)越多的研究團(tuán)體利用MEMS技術(shù)研制出了其它種類(lèi)的非制冷紅外探測(cè)器。圖6就是一種利用真空勢(shì)壘中存在的電子隧穿效應(yīng)而制成的微機(jī)械電子隧道紅外探測(cè)器這種探測(cè)器采用三層硅結(jié)構(gòu)：第一層硅結(jié)構(gòu)制作隧道硅尖電極和靜電偏轉(zhuǎn)電極；第二層硅結(jié)構(gòu)制作彈性敏感薄膜和一半氣腔：第三層硅結(jié)構(gòu)制作紅外透射膜和另一半氣腔。這種探測(cè)器的靈敏度比較高，電子隧穿位移傳感器部分的分辨率可達(dá)10-4nm／Hzl／2。