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微波功率半導(dǎo)體芯片在片設(shè)計(jì)測(cè)試解決方案

近年來(lái),隨著各種新型化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)如氮化鎵等器件的蓬勃發(fā)展,器件尺寸的不斷縮小,電場(chǎng)強(qiáng)度和電流密度卻相對(duì)增加。器件應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,應(yīng)用場(chǎng)景愈來(lái)愈復(fù)雜,導(dǎo)致集成電路的設(shè)計(jì)、優(yōu)化與制造越來(lái)越困難。由此,準(zhǔn)確的器件測(cè)試不但對(duì)模型建模分析尤其重要,并且已經(jīng)成為器件工藝優(yōu)化本身和后續(xù)電路設(shè)計(jì)不可或缺的環(huán)節(jié)。

本解決方案基于中電儀器的3672系列高性能多功能矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀平臺(tái)。用于微波功率半導(dǎo)體芯片On-Wafer設(shè)計(jì)測(cè)試,可直接測(cè)試增益、增益壓縮、有源交調(diào)等參數(shù)。兼容市場(chǎng)主流的負(fù)載牽引設(shè)備,支持有源諧波牽引;兼容市場(chǎng)主流探針臺(tái),支持探針臺(tái)及探針定制;兼容PHD諧波模型的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和研制,提供雙頻非線性模型W參數(shù);兼容市場(chǎng)主流設(shè)計(jì)仿真軟件,提供設(shè)計(jì)仿真工具。提供器件測(cè)試、數(shù)據(jù)分析和模型提取的設(shè)計(jì)測(cè)試解決方案。

 

功能要點(diǎn)

增益及常規(guī)S參數(shù)測(cè)試功能;

二維增益壓縮快速測(cè)試功能;

有源互調(diào)快速測(cè)試功能;

脈沖S參數(shù)一體化測(cè)試功能;

八通道頻譜模式快速測(cè)試功能;

無(wú)源負(fù)載牽引測(cè)試功能;

有源負(fù)載牽引測(cè)試功能;

基于冷源法的等噪聲圓測(cè)試功能;

熱態(tài)參數(shù)測(cè)試測(cè)試功能;

放大器功率增益效率測(cè)試功能;

 

功能簡(jiǎn)介

優(yōu)化的等功率圓、等效率圓、等增益圓的快速遍歷;

模塊化的系統(tǒng)配置頁(yè)面;

在片校準(zhǔn)過(guò)程控制及數(shù)據(jù)分析功能,降低人為因素影響,提高測(cè)試效率;

支持Cascade/MPI等多種型號(hào)探針臺(tái);

支持獨(dú)有的W參數(shù)模型,兼容X參數(shù)及Cardiff模型;

AWR仿真及半實(shí)物仿真,兼容ADS及IC/CAP;

全國(guó)快速響應(yīng)的技術(shù)服務(wù)與支持。

 

靈活的有/無(wú)源負(fù)載牽引測(cè)試

 

在片校準(zhǔn)測(cè)試實(shí)時(shí)分析與控制

 

多種靈活校準(zhǔn)方案及自研校準(zhǔn)件

支持矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀自帶校準(zhǔn)程序,提供TRL、SOLT等算法,使用自主研制的校準(zhǔn)件,并經(jīng)過(guò)國(guó)家計(jì)量科學(xué)研究院完成溯源定標(biāo)。

 

二維增益壓縮快速測(cè)試

 

脈沖S參數(shù)快速測(cè)試功能

內(nèi)部集成調(diào)制解調(diào),可進(jìn)行窄帶和寬帶脈沖測(cè)試,提供掃頻、包絡(luò)和脈沖點(diǎn)三種測(cè)試模式,脈沖過(guò)度時(shí)間可達(dá)10ns。

互調(diào)失真及頻譜分析的快速測(cè)試

 

功率增益效率快速測(cè)試

 

功率半導(dǎo)體的建模數(shù)據(jù)分析

對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,提供腳本解釋執(zhí)行功能。

兼容IC-CAP語(yǔ)法及模型規(guī)范。

 

兼容多種型號(hào)探針臺(tái)


自研探針

 

可擴(kuò)展至500GHz

 

全國(guó)快速響應(yīng)的技術(shù)服務(wù)與支持

采購(gòu)方式靈活,支持整套系統(tǒng)采購(gòu)和在原有設(shè)備基礎(chǔ)上集成升級(jí)。

可進(jìn)行快速技術(shù)支持響應(yīng)。

 

功能

增益及常規(guī)S參數(shù)測(cè)試功能;

二維增益壓縮快速測(cè)試功能;

有源互調(diào)快速測(cè)試功能;

脈沖S參數(shù)一體化測(cè)試功能;

八通道頻譜模式快速測(cè)試功能;

無(wú)源負(fù)載牽引測(cè)試功能;

有源負(fù)載牽引測(cè)試功能;

基于冷源法的等噪聲圓測(cè)試功能;

熱態(tài)參數(shù)測(cè)試功能;

放大器功率增益效率測(cè)試;

支持Cascade/MPI等多種探針臺(tái);

支持主流功率半導(dǎo)體建模仿真軟件;

支持主流的行為模型,獨(dú)家發(fā)布W參數(shù)模型;

微波探針臺(tái)與探針定制;

支持功率半導(dǎo)體材料微波顯微測(cè)試;

應(yīng)用

常規(guī)功率半導(dǎo)體器件S參數(shù)測(cè)試;

功率半導(dǎo)體器件建模;

功率半導(dǎo)體管芯及芯片的在片測(cè)試;

超寬帶大功率寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)計(jì);

放大器的有源負(fù)載牽引測(cè)試;

THz頻段芯片及器部件的在片研究;

功率半導(dǎo)體材料的失效分析。

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